近日，電科材料下屬國盛公司研發的硅基氮化鎵外延片完成客戶交付。

　　第三代半導體氮化鎵材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場強高等特性，在功率與射頻領域有廣闊的應用前景。硅基氮化鎵在具備上述優點的同時兼顧了可低成本、大規模生產的優點，是第三代半導體發展的重要方向。長期以來，國盛公司把握機遇，面對挑戰，破解了硅基氮化鎵研發生產的多項核心問題，在2023年12月完成了第一枚硅基氮化鎵外延片正式下線，實現了產品多元化布局。半年來，國盛公司持續加大硅基氮化鎵產品的攻關力度，不斷攻克產品產業化關鍵技術，進一步提升產品質量，順利實現產品交付，進入產品試樣驗證階段，為未來發展奠定了基礎。

　　（來源/電科材料）